高频直流电源组件的缺陷直承受湿度，温度，电压和机械等要素影响，温度招致缺陷，环境温度是招致高压直流电源组件缺陷的重要要素，温度变化对半导体器件的影响：双极型半导体器件的根本单元PN结对温度变化十分敏感。当PN结反向偏置时，少数载流子构成的反向漏电流受温度变化的影响，其关系为。

    高压直流电源组件缺陷的缘由是什么？温度每升高10°C,ICQ就会增加一倍。这将招致晶体管放大器的工作点漂移，晶体管电放逐大系数发作变化，特性曲线发作变化以及动态范围变小，温度与允许功耗之间的关系如下：高压直流电源组件缺陷的缘由是什么？

    温度升高将降低晶体管的大允许功耗，高频直流电源由于PN结的正向压降受温度的影响很大，因而以PN为根本单元的双极半导体逻辑高压直流电源组件的电压传输特性和抗干扰水平也与温度有亲密关系。温度。当温度升高时，PN结的正向压降减小，并且PN结的翻开和闭合电平会降低。

    这使得高压DC电源组件的低电平抗干扰电压容限随着温度。变得更小；高电平的抗干扰电压容差随温度的升高而增加，从而招致输出电平漂移，波形失真，稳态不均衡致使热击穿，高压直流电源组件缺陷的缘由是什么？

    温度变化对电阻的影响，温度变化对电阻的影响主要是当温度升高时，电阻的热噪声增加，电阻值偏离标称值，并且允许降低耗散的可能性。例如，当RXT系列碳膜电阻器的温度升至100℃时，允许的耗散率仅为标称值的20%.但是我们也能够运用电阻的这种特性。例如，有一类特殊设计的电阻器：PTC和NTC,它们的电阻受温度的影响很大。